Nowa jakość procesów PE-ALD (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition)
Rozwiązanie PE-ALD nowej generacji firmy Picosun jest oparte na zdalnej plazmie mikrofalowej o dużej mocy (MWP). Lekki, kompaktowy, generator plazmy można zintegrować z istniejącymi reaktorami PICOSUN® R&D ALD.
Nowe rozwiązanie do wspomaganych plazmą procesów osadzania warstw atomowych umożliwia nakładanie warstw praktycznie bez generowania niepożądanych cząstek, przy wyjątkowo niskiej zawartości zanieczyszczeń metalami, co jest kluczowe przy produkcji elektroniki oraz modyfikacji implantów medycznych.
Kluczowe cechy
- Możliwość podłączenia 4 różnych gazów oraz możliwość stosowania tych gazów w procesach termalnych przy wyłączonym generatorze)
- Prowadzenie procesów w niskich temperaturach – kluczowe dla wrażliwych podłoży takich jak np. polimery
- Minimalna ilość generowanych cząstek
- Duża odległość pomiędzy źródłem plazmy a podłożem – brak uszkadzania podłoża przez niepożądane jony
- Podłoże nie jest elektrodą – brak zjawiska spięć elektrycznych – możliwość nakładania warstw metali
- Brak osadzania warstw na źródle plazmy – eliminacja konieczności uciążliwego czyszczenia źródła plazmy
- Możliwość prowadzenia cykli termalnych i plazmowych w ramach jednego procesu bez konieczności zmian mechanicznych w systemie
- Możliwość uruchomienia źródła plazmy przy ciśnieniach roboczych
- Możliwość powierzchniowej modyfikacji proszków i nanocząstek
Stosując nowe źródło plazmy uzyskano warstwy o wysokiej gęstości i jednorodności. MWP umożliwia również pracę w szerszym zakresie parametrów plazmy co poszerza jej możliwości w opracowywaniu oraz optymalizacji istniejących procesów.
Przykład parametrów warstwy ALD SiO2 uzyskanej przy użyciu mikrofalowego źródła plazmy Picosun
