atomic layer deposition osadzanie warstw atomowych ALD

P-300S

Przemysłowy reaktor ALD

Przemysłowy reaktor ALD do podłoży o średnicy 300 mm do produkcji półprzewodnikowej

    Ta strona jest chroniona przez reCAPTCHA oraz Google Polityka Prywatności | Warunki użytkowania.

    System PICOSUN® P-300S ALD jest specjalnie zaprojektowany do produkcji elementów układów scalonych, mikroprocesorów, pamięci, dysków twardych i MEMS

    GŁÓWNE CECHY:

    • Niezależne wloty prekursorów do komory
    • Uniwersalna komora do wszystkich rodzajów podłoży
    • Jednorodna temperatura w całej objętości komory reakcyjnej

    TYPOWE PODŁOŻA:

    • Pojedyncze podłoża o średnicy 300mm
    • Podłoża porowate, na wskroś porowate i podłoża o wysokim współczynniku HAR  (do 1:2500)

    TEMPERATURA PROCESU

    50 – 500°C

    TYPOWE PROCESY

    • Procesy produkcyjne z czasem cyklu poniżej 10 sekund
    • Niejednorodność warstw pomiędzy podłożami w serii <1% 1σ (Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49 pkt, 5mm EE)
    • Tlenki: Al2O3, TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, ZrO2,
    • Azotki: TiN, AlN
    • Metale: Pt, Ir, Ru

    ZAŁADUNEK PODŁOŻY

    • Komora załadowcza load-lock
    • Automatyczny system załadunku podłoży za pomocą próżniowego systemu klastrowego Picoplatform™ 200 lub Picoplatform™ 300
    • Załadunek typu kaseta do kasety
    • Załadunek w atmosferze N2

    PREKURSORY

    • 12 linii prekursorowych (ciekłe, gazowe, stałe, ozon)
    • 6 niezależnych wlotów do komory
    • Czujnik poziomu prekursorów