Atomic Layer Deposition (ALD) Osadzanie warstw Atomowych

Atomic Layer Deposition (ALD) to metoda służąca do wytwarzania ultracienkich, wysoce jednolitych i konforemnych warstw materiałów ALD, wykorzystująca sekwencyjne, samoograniczające się i kontrolowane powierzchniowo reakcje chemiczne fazy gazowej.
W prawidłowo prowadzonym procesie ALD gazy reaktywne reagują jedynie podczas kontaktu z powierzchnią podłoża, co oznacza, że wzrost przebiega przez kolejne warstwy atomowe "w górę" od powierzchni. Warstwa ALD jest gęsta, pozbawiona defektów i pinhole`i, a jej grubość wraz z właściwościami strukturalnymi i chemicznymi może być precyzyjnie kontrolowana w skali atomowej.
Proces ALD jest powtarzalny cyfrowo i może być wykonywany w stosunkowo niskich temperaturach, dzięki czemu możliwe jest powlekanie wrażliwych materiałów np. tworzyw sztucznych, czy polimerów. ALD umożliwia nakładanie nie tylko pojedynczych warstw materiału, ale także warstw domieszkowanych, mieszanych i nanolaminatów. Podłożami mogą być płaskie podłoża , serie podłoży, skomplikowane podłoża 3D (materiały porowate i na wskroś porowate) i proszki.
Lista materiałów ALD jest szeroka, począwszy od tlenków, azotków, fluorków, węglików i siarczków po związki trójskładniowe, metale (w tym szlachetne), materiały hybrydowe i polimery.