01.27.21

Nakładanie epitaksjalnego azotku galu (GaN) metodą PE-ALD

Nakładanie epitaksjalnego azotku galu (GaN) metodą PE-ALD (Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition) w niskiej temperaturze w reaktorze R-200 Advanced .

Naukowcom z Uniwersytetu w Linköping udało się nałożyć wysokiej jakości GaN w temperaturze 250˚C. To odkrycie może się przyczynić do powstania nowocześniejszych i mniejszych tranzystorów HEMT oraz umożliwi nakładanie GaN na materiały z mniejszą odpornością temperaturową.

epitaxial GaN PEALD Picosun

Źródło:
Rouf, P., O’Brien, N. J., Buttera, S. C., Martinovic, I., Bakhit, B., Martinsson, E., … Pedersen, H. (2020). Epitaxial GaN using Ga(NMe2)3and NH3plasma by atomic layer deposition. Journal of Materials Chemistry C, 8(25), 8457–8465. https://doi.org/10.1039/d0tc02085k

 

Główne zalety odległego źródła plazmy ICP w reaktorach Picosun:

  • System plazmowy typu odległego „remote” – Odległość pomiędzy generatorem plazmy, a podłożem powyżej 50cm (true remote system).
  • Moc plazmy regulowana do 3000W, częstotliwość 1,7 – 3 MHz RF.
  • Plazma o bardzo wysokiej gęstości z praktycznie zerową ilością jonów – brak zjawiska uszkodzeń podłoża
  • Brak wstecznej dyfuzji gazów – brak konieczności czyszczenia generatora plazmy
  • Podłoże nie jest elektrodą – możliwość metalizacji bez ryzyka spięcia
  • Możliwość włączania generatora przy ciśnieniach roboczych i prowadzenia procesów termalnych i plazmowych w ramach jednego eksperymentu be
  • Możliwość powierzchniowej modyfikacji wysokich podłoży >100mm