Nakładanie epitaksjalnego azotku galu (GaN) metodą PE-ALD (Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition) w niskiej temperaturze w reaktorze R-200 Advanced .
Naukowcom z Uniwersytetu w Linköping udało się nałożyć wysokiej jakości GaN w temperaturze 250˚C. To odkrycie może się przyczynić do powstania nowocześniejszych i mniejszych tranzystorów HEMT oraz umożliwi nakładanie GaN na materiały z mniejszą odpornością temperaturową.
Źródło:
Rouf, P., O’Brien, N. J., Buttera, S. C., Martinovic, I., Bakhit, B., Martinsson, E., … Pedersen, H. (2020). Epitaxial GaN using Ga(NMe2)3and NH3plasma by atomic layer deposition. Journal of Materials Chemistry C, 8(25), 8457–8465. https://doi.org/10.1039/d0tc02085k
Główne zalety odległego źródła plazmy ICP w reaktorach Picosun:
- System plazmowy typu odległego „remote” – Odległość pomiędzy generatorem plazmy, a podłożem powyżej 50cm (true remote system).
- Moc plazmy regulowana do 3000W, częstotliwość 1,7 – 3 MHz RF.
- Plazma o bardzo wysokiej gęstości z praktycznie zerową ilością jonów – brak zjawiska uszkodzeń podłoża
- Brak wstecznej dyfuzji gazów – brak konieczności czyszczenia generatora plazmy
- Podłoże nie jest elektrodą – możliwość metalizacji bez ryzyka spięcia
- Możliwość włączania generatora przy ciśnieniach roboczych i prowadzenia procesów termalnych i plazmowych w ramach jednego eksperymentu be
- Możliwość powierzchniowej modyfikacji wysokich podłoży >100mm