Reaktor ALD R-200 Advanced

Pokročilý reaktor PICOSUN® R-200 advanced umožňuje tepelné a plazmové procesy (PE-ALD)

Reaktor ALD PICOSUN® R-200 je určen pro výzkum a vývoj v mnoha oblastech, jako jsou komponenty IC, zařízení MEMS, displeje, LED, lasery a podklady 3D, optické vrstvy, ale také pro depozici ochranných vrstev na šperky, mince a lékařské implantáty.

HLAVNÍ VLASTNOSTI:

• Unikátní řešení zajišťující nejvyšší čistotu procesu a uniformitu vrstev
• Nezávislé přívody prekurzoru do komory
• Univerzální komora pro všechny typy substrátů
• Rovnoměrná teplota v celém objemu reakční komory
• Vzdálený zdroj plazmatu ICP nebo mikrovlny (MW)
• Jednoduché ovládání pomocí počítače s dotykovou obrazovkou

TYPICKÉ PODKLADY:

(Depozice na všech typech substrátů v jedné univerzální reakční komoře)

• Jednotlivé ploché podklady s průměrem až 200 mm
• Křemíkové články 156 mm x 156 mm
• Podklady 3D (např. implantáty) vysoké více než 120 mm
• Prášky, částice, nanočástice
• Mini šarže substrátů 8 x 200 mm
• Porézní, plně porézní substráty a substráty s vysokým HAR (až 1:2500)

TEPLOTA PROCESU

50 – 500 °C, 450 °C se zdrojem plazmatu (650 °C s dodatečným vyhřívaným držákem vzorků)

TYPICKÉ PROCESY

• Oxidy: Al2O3, TiO2, SiO2, Ta205, HfO2, ZnO, Zr02
• Nitridy: TiN, AlN
• Kovy: Pt, Ir, Ru

VKLÁDANÍ SUBSTRÁTU

• Vkládaní substrátů shora (pneumatické otevíraní poklopu reaktoru)
• Přechodová komora (load-lock)
• Poloautomatické vkládaní substrátů pomocí robota
• Kazetové vkládaní substrátů v klastru

PREKURZORY

• Do 12 zdrojů prekurzorů (tekuté, plynné, pevné, ozon)
• 4 nezávislé přívody do komory

MOŽNOSTI ROZŠÍŘENÍ

• Zesilovač difúze Picoflow™ pro povrchové úpravy materiálů s vysokým HAR, porézní a skrz porézní materiály bez omezení velikosti, typu substrátu a procesní teploty
• Integrace s rukavicovou komorou pro vkládání všech typů substrátů v atmosféře inertního plynu
• Hmotnostní spektrometr (RGA)
• Generátor ozonu
• Generátor dusíku
• Krystalová mikrováha
• Integrovaný laserový elipsometr