CVD / PE-CVD FLARION

Chemická depozice z plynné fáze (CVD) je proces, při kterém reakce mezi plynnými prekurzory vytvářejí pevné částice, které se deponují na povrchu substrátu.

V procesu CVD podporovaném plazmatem plazma vytváří v kontaktu s plyny aktivní radikály, které reagují s chemickými prekurzory za vzniku částic, které jsou následně deponované na povrchu substrátu.

Výhodou použití plazmatu je možnost snížení teploty procesu. Dále, modulace hustoty plazmy může být použita také jako nástroj ke změně struktury deponovaného materiálu.

Procesy CVD umožnují vytváření konformálních vrstev na 3D substrátech.

Příklady konfigurace:

• Reaktor typu parallel-plate, ve kterém je substrát součástí spodní elektrody a vysokofrekvenční napětí je přiváděno na horní elektrodu, čímž se vytváří kapacitně vázanou plazmu (CCP).
• Reaktor s indukčně vázanou plazmou (ICP) umožňuje generování plazmy s vyšší hustotou a nezávislé řízení hustoty a energie.
• Reaktor PECVD s mikrovlnným zdrojem plazmy, speciálně přizpůsobený pro syntézu pokročilých materiálů, jako jsou diamantové vrstvy.