03.11.21

Depozice epitaxního nitridu gallia (GaN) metodou PE-ALD

Depozice epitaxního nitridu gallia (GaN) metodou PE-ALD (Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition) za nízké teploty v reaktoru R-200 Advanced Picosun.

Vědci z univerzity v Linköpingu provedli úspěšnou depozici vysoce kvalitního GaN za teploty 250 ˚C. Tento objev by mohl vést k modernějším a menším tranzistorům HEMT a umožnit nanášení GaN na materiály s nižší teplotní odolností.

epitaxial GaN PEALD Picosun

Zdroj:
Rouf, P., O’Brien, N. J., Buttera, S. C., Martinovic, I., Bakhit, B., Martinsson, E., … Pedersen, H. (2020). Epitaxial GaN using Ga(NMe2)3and NH3plasma by atomic layer deposition. Journal of Materials Chemistry C, 8(25), 8457–8465. https://doi.org/10.1039/d0tc02085k

 

Hlavní výhody vzdáleného zdroje plazmy ICP/MW v reaktorech Picosun:

  • Zdroj plazmy ICP/MW remote- vzdálenost mezi plazmovým generátorem a podkladem větší než 50 cm (skutečný vzdálený systém).
  • Plazma velmi vysoké hustoty s prakticky nulovým obsahem iontů – nedochází k poškození substrátů.
  • Velmi malé množství generovaných částic během procesu.
  • Výkon generátoru plazmy nastavitelný až do 3000 W, frekvence 1,7 – 3 MHz RF.
  • Stálý průtok pracovního plynu – nevyskytuje se zpětná difúze plynů – není třeba čistit plazmový generátor.
  • Substrát není elektrodou – možnost metalizace bez rizika elektrických zkratů.
  • Možnost zapnutí generátoru za pracovních tlaků – termální a plazmové procesy v rámci jednoho experimentu.
  • Možnost povrchové úpravy vysokých podkladů > 100 mm.