Blog

Depozice epitaxního nitridu gallia (GaN) metodou PE-ALD (Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition) za nízké teploty v reaktoru R-200 Advanced Picosun. Vědci z univerzity v Linköpingu provedli úspěšnou depozici vysoce kvalitního GaN za teploty 250 ˚C. Tento objev by mohl vést k modernějším a menším tranzistorům HEMT a umožnit nanášení GaN na materiály s nižší teplotní odolností. […]

Technologie depozice atomárních vrstev ALD se stále častěji používá při povlakování lékařských implantátů, pro účinnou a dlouhodobou ochranu kovových součástí a citlivé mikroelektroniky před korozí způsobenou tekutinami lidského těla. Picosun popisuje vývoj organicko-anorganické dvouvrstvé bariérové ochrany pro neurologické implantáty a biomedicínskou elektroniku. Skupina také potvrzuje vynikající hermetické a bariérové vlastnosti ALD vrstev proti difúzi korozivních […]

Depozice atomárních vrstev (ALD) na prášky Další zpráva popisující použití technologie depozice atomárních vrstev při modifikaci práškových materiálů. Tentokrát byla na komerčně dostupné částice TiO2 nanesena tenká vrstva Fe2O3, čímž se vylepšil fotokatalytický účinek. Vrstva byla deponovaná v reaktoru ALD R-150, předchůdci aktuálně nabízeného reaktoru ALD R-200 vybaveného speciálním držákem, velmi jednoduše namontovatelným do reakční […]

Depozice tenkých pasivačních a bariérových vrstev významně zlepšila spolehlivost a prodloužila životnost UVC diod. Díky vrstvě ALD Al2O3 o tloušťce 50 nm deponované v reaktoru ALD na standardní diody LED bez hermetického těsnění bylo dosaženo 80% počáteční účinnosti i po 500 hodinách testování v klimatické komoře při 80% vlhkosti a teplotě 85 °C. Pasivační vrstva ALD […]

Nabízíme revoluční metodu depozice tenkých, nanometrických a 100% konformních ochranných vrstev pro výrobce desek plošných spojů a výrobců elektroniky, vyvinutou předním výrobcem technologie ALD, Picosun. Klíčové vlastnosti Hermetické, husté vrstvy získané metodou depozice atomárních vrstev ALD (Atomic Layer Deposition), účinně chránící před oxidací, vlhkostí a tvorbou cínových vousů (tin whiskers) Povlak ALD dodává nulovou hmotnost […]